Abstract：
为了研究ZnO本征缺陷种类与浓度对激子跃迁复合和载流子输运特性的影响,采用改进的光学气化过饱和析出法制备了本征富受主型ZnO(A-ZnO)微米管.通过氧气生长气氛实现了施主-受主对和中性受主束缚激子A0X的浓度调控,揭示了缺陷浓度调控中间态能级产生负热淬灭效应的机制.结果表明,通过提高浅受主缺陷浓度以及提升中间态能级位置,可将A-ZnO微米管的电阻率下降7倍,紫外光响应时间缩短51％,实现了 A-ZnO微米管的导电性增强和高效紫外探测.此研究结果为ZnO微纳结构半导体光电器件性能调控提供了新思路.
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激光技术
ISSN： 1001-3806
Year： 2024
Issue： 6
Volume： 48
Page： 838-845
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