为改善GaN基LED的p型氮化镓(p-GaN)与透明导电层之间的接触性能,采用磁控溅射法在p-GaN上制备了Ni/Au透明导电层.定性地分析了两种金属在薄膜中的作用,通过测量Ni/Au透明导电薄膜退火后的比接触电阻率、方块电阻和透过率来获取最优金属层厚度,Ni和Au的厚度分别为3　nm和5　nm.在400℃、空气氛围下退火1　min时,获得了低的比接触电阻率,薄膜方块电阻为102　Ω/□,采用环形传输线法测量的比接触电阻率为6.1×10-4　Ω·cm2.薄膜的透过率在478　nm时达到了77.3％.使用该薄膜制备的LED,开启电压为2.5V,在工作电流为20　mA时的工作电压为2.9V,证实了所制备的Ni/Au薄膜可用于制备LED的透明导电层.