本文针对大功率垂直腔面发射激光器(vertical　cavity　surface　emitting　laser,　VCSEL)阵列热阻大、出光不均匀的问题，研究p-GaAs层欧姆接触电阻值的作用机理，降低欧姆接触串联电阻的方法，以提高VCSEL阵列出射光功率的均匀性。基于3种常用欧姆接触金属Ti/Au、Ni/Au、Ti/Al/Ti/Au,研究各层金属厚度和金属组合对与p型欧姆接触电阻的作用规律；结合等离子体表面处理工艺，改变金属/p-GaAs界面态，研究界面态对欧姆接触电阻的影响规律。实验对比分析得到金属Ti/Au结构电极欧姆接触的比接触电阻率最低，为3.25×10~(-4　)Ω·cm~2;基于金半接触势垒模型，通过表面等离子体处理，界面势垒可降低12.6%(0.269　2　eV降至0.235　3　eV),等离子体轰击功率可调控金半界面的势垒和态密度。