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本文研究了Sendust软磁合金复合材料在动态场和高频下涡流损耗、磁滞损耗等的主要机理,侧重报道Sendust软磁合金材料的磁损耗理论和实验工艺研究相结合所作的工作,并介绍了用于EMI抑制的Sendust软磁复合材料元器件的制作过程,经测试其在频段范围800MHz～1.5GHz内,磁导率虚部平均值为10.4,平均抑制效果(S21)可达11.5dB.
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功能材料与器件学报
ISSN： 1007-4252
Year： 2009
Issue： 6
Volume： 15
Page： 591-594
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